第四节测试 CMOS逻辑门的延时特性【含答案】 数字超大规模集成电路设计

(1)单选题

下列因素哪个不会影响一种给定逻辑门的本征延时()(注:不是归一化本征延时)

A  尺寸系数

B  工艺参数

C  电源电压

D  温度

(2)判断题

逻辑门的努力延时随着门的尺寸系数增大而减小。

(3)填空题

一个对称的3输入NAND门的逻辑努力等于_[填空1]_ (写成分数形式)

如果上题中的3输入NAND门的等效扇出f=4,已知自载系数γ=1,那么它的归一化的努力延时等于____[填空2]__(写成分数形式)

(4)单选题

逻辑努力和下列哪些因素有关()

A  尺寸系数

B  逻辑门的结构

C  工艺参数

D  外部负载

获取标准答案请阅读全文

隐藏内容 需要支付:¥4

未经允许不得转载!第四节测试 CMOS逻辑门的延时特性【含答案】 数字超大规模集成电路设计