（1）单选题
下列因素哪个不会影响一种给定逻辑门的本征延时（）（注：不是归一化本征延时）
A 尺寸系数
B 工艺参数
C 电源电压
D 温度
（2）判断题
逻辑门的努力延时随着门的尺寸系数增大而减小。
（3）填空题
一个对称的3输入NAND门的逻辑努力等于_[填空1]_ （写成分数形式）
如果上题中的3输入NAND门的等效扇出f=4，已知自载系数γ=1，那么它的归一化的努力延时等于____[填空2]__（写成分数形式）
（4）单选题
逻辑努力和下列哪些因素有关（）
A 尺寸系数
B 逻辑门的结构
C 工艺参数
D 外部负载
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未经允许不得转载！第四节测试 CMOS逻辑门的延时特性【含答案】 数字超大规模集成电路设计